Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

IPB12CNE8N G

stock de pièces: 763

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 85V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

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Infineon Technologies

IPD80N06S3-09

stock de pièces: 831

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 40A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP147N03L G

stock de pièces: 630

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR3709ZTRPBF

stock de pièces: 164540

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

IPD16CNE8N G

stock de pièces: 789

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 85V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 53A, 10V,

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IPI80N03S4L03AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N03S4L03AKSA1

stock de pièces: 72486

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

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IPI139N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

IPI139N08N3GHKSA1

stock de pièces: 801

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 45A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7703TRPBF

stock de pièces: 683

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V,

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IPA60R250CPXKSA1

Infineon Technologies

IPA60R250CPXKSA1

stock de pièces: 39633

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

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IPB50R250CPATMA1

Infineon Technologies

IPB50R250CPATMA1

stock de pièces: 58237

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 550V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

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IPB065N15N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB065N15N3GATMA1

stock de pièces: 13275

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH5004TRPBF

stock de pièces: 82938

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 10V,

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IPP80N06S209AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S209AKSA1

stock de pièces: 815

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH7084TRPBF

stock de pièces: 71052

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF7779L2TRPBF

stock de pièces: 27078

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

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Infineon Technologies

IPU135N08N3 G

stock de pièces: 6136

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB3004GPBF

stock de pièces: 6094

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB26CNE8N G

stock de pièces: 807

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 85V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

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Infineon Technologies

IPI26CN10N G

stock de pièces: 804

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF

stock de pièces: 124498

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.9A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF8721GPBF

stock de pièces: 904

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

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IPI030N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

IPI030N10N3GHKSA1

stock de pièces: 821

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

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IPS090N03LGAKMA1

Infineon Technologies

IPS090N03LGAKMA1

stock de pièces: 687

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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IPP260N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

IPP260N06N3GXKSA1

stock de pièces: 807

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 27A, 10V,

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IPI60R600CPAKSA1

Infineon Technologies

IPI60R600CPAKSA1

stock de pièces: 5696

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V,

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IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

IPB017N10N5ATMA1

stock de pièces: 18472

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP096N03L G

stock de pièces: 647

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH8334TRPBF

stock de pièces: 159705

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

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IPD135N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD135N08N3GBTMA1

stock de pièces: 820

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 45A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFH5300TRPBF

stock de pièces: 123896

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

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IPP80N06S2H5AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S2H5AKSA1

stock de pièces: 778

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB16CN10N G

stock de pièces: 745

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 53A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP80N06S2L-07

stock de pièces: 49543

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

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IPW90R1K0C3FKSA1

Infineon Technologies

IPW90R1K0C3FKSA1

stock de pièces: 38771

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

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Infineon Technologies

IPI80CN10N G

stock de pièces: 6157

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 13A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFSL4020PBF

stock de pièces: 868

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 11A, 10V,

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