Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 100

IRFB3207PBF

stock de pièces: 23404

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

SPA08N80C3XKSA1

stock de pièces: 4529

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IPAN60R800CEXKSA1

stock de pièces: 76358

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB4227PBF

stock de pièces: 24892

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 46A, 10V,

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Infineon Technologies

IRL1404ZPBF

stock de pièces: 30424

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

SPU07N60C3BKMA1

stock de pièces: 5322

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB4110GPBF

stock de pièces: 17787

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB7430PBF

stock de pièces: 19479

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF9540NLPBF

stock de pièces: 33756

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB080N03LGATMA1

stock de pièces: 4332

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFP4127PBF

stock de pièces: 12080

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 44A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFP3077PBF

stock de pièces: 16495

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLI3705NPBF

stock de pièces: 32621

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 28A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3205LPBF

stock de pièces: 51271

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V,

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Infineon Technologies

IPAW60R180P7SXKSA1

stock de pièces: 37593

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5.6A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB60R165CPATMA1

stock de pièces: 4317

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFB3306GPBF

stock de pièces: 39640

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IPA057N08N3GXKSA1

stock de pièces: 36985

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 60A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS3207TRLPBF

stock de pièces: 42357

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP023NE7N3GXKSA1

stock de pièces: 4724

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS4227TRLPBF

stock de pièces: 42737

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 46A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB65R065C7ATMA2

stock de pièces: 4310

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3710PBF

stock de pièces: 42913

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V,

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Infineon Technologies

IPA60R380C6XKSA1

stock de pièces: 4319

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.8A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP80N06S209AKSA2

stock de pièces: 49152

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB60R125C6ATMA1

stock de pièces: 4310

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

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Infineon Technologies

IRFS7430TRLPBF

stock de pièces: 45483

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP50R280CEXKSA1

stock de pièces: 52765

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

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Infineon Technologies

IRFB3307ZPBF

stock de pièces: 30439

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB034N06L3GATMA1

stock de pièces: 4353

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 90A, 10V,

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Infineon Technologies

IPB100N06S205ATMA4

stock de pièces: 50899

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

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Infineon Technologies

IPP200N15N3GXKSA1

stock de pièces: 25201

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF6218PBF

stock de pièces: 25256

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 16A, 10V,

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Infineon Technologies

IRF3710ZLPBF

stock de pièces: 45273

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,

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Infineon Technologies

IPA80R650CEXKSA2

stock de pièces: 36318

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V,

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Infineon Technologies

IRLB4030PBF

stock de pièces: 17613

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

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