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RFQS / Commande
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Diodes - Redresseurs - Réseaux

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GSXD030A006S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD030A006S1-D3

stock de pièces: 5311

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS050A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS050A060S-D4

stock de pièces: 1422

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS060A120S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS060A120S-D4

stock de pièces: 657

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF030A120S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF030A120S1-D3

stock de pièces: 5408

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.35V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF060A020S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A020S1-D3

stock de pièces: 3794

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS020A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D4

stock de pièces: 1996

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D020A060U
Global Power Technologies Group

GP2D020A060U

stock de pièces: 12784

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GSXD120A012S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A012S1-D3

stock de pièces: 4555

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 120V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS030A120S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D4

stock de pièces: 1197

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 30A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GHXS015A120S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

stock de pièces: 1918

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS030A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D3

stock de pièces: 1932

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS045A120S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D3

stock de pièces: 907

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 45A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 45A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF060A060S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A060S1-D3

stock de pièces: 5768

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

stock de pièces: 3747

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF030A040S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF030A040S1-D3

stock de pièces: 6069

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D024A060U
Global Power Technologies Group

GP2D024A060U

stock de pièces: 21283

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 36A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GHXS045A120S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D4

stock de pièces: 845

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 45A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 45A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF030A060S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF030A060S1-D3

stock de pièces: 5945

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS010A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D4

stock de pièces: 3727

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP2D016A120U
Global Power Technologies Group

GP2D016A120U

stock de pièces: 17930

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 24A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GSXF120A060S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF120A060S1-D3

stock de pièces: 3644

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS030A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D4

stock de pièces: 1867

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD030A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD030A008S1-D3

stock de pièces: 5284

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GHXS060A120S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS060A120S-D3

stock de pièces: 732

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 60A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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GHXS050A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS050A060S-D3

stock de pièces: 1404

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD030A004S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD030A004S1-D3

stock de pièces: 5375

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 30A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD120A015S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A015S1-D3

stock de pièces: 3628

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF100A020S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF100A020S1-D3

stock de pièces: 3464

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF100A120S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF100A120S1-D3

stock de pièces: 3311

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 100A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.35V @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD120A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A008S1-D3

stock de pièces: 3421

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF060A040S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A040S1-D3

stock de pièces: 4597

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD100A006S1-D3

stock de pièces: 3452

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 100A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD120A010S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A010S1-D3

stock de pièces: 3711

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD050A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD050A008S1-D3

stock de pièces: 4339

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 50A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXF060A100S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A100S1-D3

stock de pièces: 4206

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.35V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GSXD080A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD080A008S1-D3

stock de pièces: 3852

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 80V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 80A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 80A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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