Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 2

GP2D003A060C

stock de pièces: 124592

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 3A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D008A120A

stock de pièces: 12482

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 24A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A065A

stock de pièces: 43140

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D012A065A

stock de pièces: 12864

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D006A060A

stock de pièces: 18126

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D020A060B

stock de pièces: 10017

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 58A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 20A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A060A

stock de pièces: 32164

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D012A060D

stock de pièces: 9856

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D006A060C

stock de pièces: 22992

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D008A120C

stock de pièces: 12548

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 24A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D015A120A

stock de pièces: 6601

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 15A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D012A060A

stock de pièces: 9802

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D003A060A

stock de pièces: 32449

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 3A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D012A065C

stock de pièces: 88

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 29A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.9V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GSXD300A170S2D5

stock de pièces: 1548

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1700V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 300A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.9V @ 300A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 540ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A060A

stock de pièces: 17959

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D020A120A

stock de pièces: 2898

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 20A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D003A065C

stock de pièces: 46386

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 3A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A065C

stock de pièces: 63819

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D036A060B

stock de pièces: 7919

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 82A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.9V @ 36A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D010A065C

stock de pièces: 32469

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D003A065A

stock de pièces: 46379

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 650V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 3A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D030A060B

stock de pièces: 5912

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.65V @ 30A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP60Z120E

stock de pièces: 2254

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 60A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 60A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP08S120A

stock de pièces: 2165

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 8A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A120A

stock de pièces: 7354

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP15S120B

stock de pièces: 5232

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 15A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A120A

stock de pièces: 20996

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A170B

stock de pièces: 3924

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1700V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.75V @ 10A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP06S060A

stock de pièces: 2241

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 6A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A170B

stock de pièces: 6213

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1700V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.75V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A120C

stock de pièces: 20934

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 5A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D050A120B

stock de pièces: 2553

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 50A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 50A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP12S060A

stock de pièces: 5283

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 12A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 12A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP03S060C

stock de pièces: 2176

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 3A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP30S120B

stock de pièces: 2237

Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 30A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 30A, La vitesse: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 0ns,

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