Diodes - Redresseurs - Réseaux

Domicile
Diodes - Redresseurs - Réseaux

GeneSiC Semiconductor

MBRT20040

stock de pièces: 1226

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A06

stock de pièces: 3244

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTR

stock de pièces: 1155

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 400A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 650mV @ 100A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTS

stock de pièces: 1365

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 400A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247D

stock de pièces: 5080

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 25A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.8V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A200

stock de pièces: 2947

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 100A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 50A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST16035

stock de pièces: 1345

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 160A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 160A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A045

stock de pièces: 2710

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 240A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 120A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30040R

stock de pièces: 1073

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 300A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 750mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A045

stock de pièces: 3701

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A04

stock de pièces: 3385

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A045

stock de pièces: 3289

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 160A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 80A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A100

stock de pièces: 3572

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A02

stock de pièces: 3221

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 120A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTR

stock de pièces: 1234

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Reverse Polarity, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 35V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT600200R

stock de pièces: 820

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 300A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 300A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT400100

stock de pièces: 1123

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 400A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 880mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A100

stock de pièces: 3337

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 160A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 80A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A06

stock de pièces: 3768

Configuration des diodes: 2 Independent, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.5V @ 30A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400100CT

stock de pièces: 1403

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 400A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA600140(A)

stock de pièces: 673

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 600A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 600A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001R

stock de pièces: 750

Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 600A (DC), La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA60060(A)

stock de pièces: 682

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 600A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 600A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA600100(A)

stock de pièces: 691

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1000V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 600A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 600A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080(A)

stock de pièces: 753

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 600A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 600A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40045DL

stock de pièces: 877

Configuration des diodes: 1 Pair Series Connection, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA600120(A)

stock de pièces: 675

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 600A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.2V @ 600A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001

stock de pièces: 665

Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 600A (DC), La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB10SLT12-247D

stock de pièces: 8816

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Silicon Carbide Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 1200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 12A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.9V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRF120200

stock de pièces: 4536

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURF30020

stock de pièces: 4527

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 150A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTRL

stock de pièces: 4504

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTL

stock de pièces: 4475

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 580mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRF12030

stock de pièces: 4508

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 60A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 60A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRF30020

stock de pièces: 4526

Configuration des diodes: 1 Pair Common Cathode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 150A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 150A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40040RL

stock de pièces: 4486

Configuration des diodes: 1 Pair Common Anode, Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io) (par diode): 200A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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