Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 40

DMN3110S-7

stock de pièces: 173400

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 3.1mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN1054UCB4-7

stock de pièces: 125297

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 8V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TA

stock de pièces: 174722

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP6110SFDF-7

stock de pièces: 125687

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN53D0LW-7

stock de pièces: 181488

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN10H170SFG-13

stock de pièces: 103511

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 3.3A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN10H170SFDE-7

stock de pièces: 195132

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6013LFGQ-13

stock de pièces: 136532

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP2035UFCL-7

stock de pièces: 157838

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

stock de pièces: 105872

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN61D9UWQ-7

stock de pièces: 9995

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DMN3042LFDF-7

stock de pièces: 199263

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 4A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN3115UDM-7

stock de pièces: 165079

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DI9400T

stock de pièces: 1448

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6140LQ-7

stock de pièces: 196295

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP1245UFCL-7

stock de pièces: 141543

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG6968UQ-7

stock de pièces: 172708

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP21D0UFD-7

stock de pièces: 162281

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 820mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 800mA, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZXMN3A04KTC

stock de pièces: 1448

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN67D8LW-7

stock de pièces: 158207

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN1019USN-7

stock de pièces: 163598

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2035UFDF-7

stock de pièces: 103231

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN3009SFG-13

stock de pièces: 116225

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMP6A17GQTA

stock de pièces: 164284

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN55D0UTQ-7

stock de pièces: 106166

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 160mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 100mA, 4V,

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Diodes Incorporated

DMG1013TQ-7

stock de pièces: 104017

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 460mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 350mA, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-7

stock de pièces: 141417

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2B03E6TA

stock de pièces: 156010

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2012SN-7

stock de pièces: 9937

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG2301U-7

stock de pièces: 135955

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2100UDM-7

stock de pièces: 197324

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2040UFDF-7

stock de pièces: 141471

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG3407SSN-7

stock de pièces: 135683

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.1A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN53D0L-7

stock de pièces: 170335

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN1045UFR4-7

stock de pièces: 180659

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG4468LFG-7

stock de pièces: 112053

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.62A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V,

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