Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

Diodes Incorporated

DMT10H015LCG-7

stock de pièces: 176205

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP2066LDMQ-7

stock de pièces: 129269

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN1004UFDF-13

stock de pièces: 219

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN3025LFG-7

stock de pièces: 167612

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG7401SFG-13

stock de pièces: 150340

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

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Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-7

stock de pièces: 124820

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN3025LFG-13

stock de pièces: 156426

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN4010LFG-13

stock de pièces: 132236

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMT2004UFDF-13

stock de pièces: 165749

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 24V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP3018SFK-13

stock de pièces: 154411

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP3036SFG-13

stock de pièces: 123244

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6013LFG-7

stock de pièces: 134023

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMPH4015SK3-13

stock de pièces: 164006

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG7401SFG-7

stock de pièces: 191904

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

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Diodes Incorporated

DMP2010UFG-13

stock de pièces: 118346

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP2023UFDF-13

stock de pièces: 102828

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMP6050SFG-7

stock de pièces: 181209

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

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DMP25H18DLFDE-7

Diodes Incorporated

DMP25H18DLFDE-7

stock de pièces: 118923

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMPH3010LK3-13

stock de pièces: 191392

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN4020LFDE-13

stock de pièces: 124437

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN3008SFGQ-7

stock de pièces: 181227

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP3035SFG-7

stock de pièces: 141579

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN2028UFDF-13

stock de pièces: 157372

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMG4N65CTI

stock de pièces: 74019

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN6040SVTQ-13

stock de pièces: 136899

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH3002LPS-13

stock de pièces: 135924

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

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DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6010LPSQ-13

stock de pièces: 116038

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMTH4005SPS-13

stock de pièces: 158546

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG2301L-13

stock de pièces: 148665

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

DMN2026UVT-13

stock de pièces: 134578

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

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DMN10H170SVTQ-13

Diodes Incorporated

DMN10H170SVTQ-13

stock de pièces: 134895

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

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DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6005LPSQ-13

stock de pièces: 104297

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN67D7L-13

stock de pièces: 289

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMG2302UK-13

stock de pièces: 105644

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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DMTH6004LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6004LPSQ-13

stock de pièces: 89420

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

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DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

DMT10H015LPS-13

stock de pièces: 156954

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

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