Taper | La description |
État de la pièce | Active |
---|---|
Type FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vg (Max) | +10V, -20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 10V |
Fonction FET | - |
Puissance dissipée (Max) | 800mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 3-MPAK |
Paquet / Caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Statut ROHS | RoHs conforme |
---|---|
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
Catégorie de stock | Stock disponible |