| Taper | La description |
| État de la pièce | Obsolete |
|---|---|
| Type FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 660mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vg (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Fonction FET | - |
| Puissance dissipée (Max) | 1.3W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paquet / Caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Statut ROHS | RoHs conforme |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
| Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
| Catégorie de stock | Stock disponible |
