| Taper | La description |
| État de la pièce | Active |
|---|---|
| Type FET | - |
| La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vg (Max) | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| Fonction FET | - |
| Puissance dissipée (Max) | 170W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Paquet / Caisse | - |
| Statut ROHS | RoHs conforme |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
| Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
| Catégorie de stock | Stock disponible |
