Taper | La description |
État de la pièce | Active |
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Type FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 120V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | - |
Paquet / Caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Statut ROHS | RoHs conforme |
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Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
Catégorie de stock | Stock disponible |