| Taper | La description |
| État de la pièce | Active |
|---|---|
| Type FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Puissance - Max | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Caisse | 9-VFBGA |
| Package d'appareils du fournisseur | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Statut ROHS | RoHs conforme |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
| Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
| Catégorie de stock | Stock disponible |
