Taper | La description |
État de la pièce | Active |
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Type FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Statut ROHS | RoHs conforme |
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Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
Catégorie de stock | Stock disponible |