Taper | La description |
État de la pièce | Active |
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Type FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vg (Max) | -6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 6V |
Fonction FET | - |
Puissance dissipée (Max) | 820mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-WLB1010-4 |
Paquet / Caisse | 4-UFBGA, WLBGA |
Statut ROHS | RoHs conforme |
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Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
Catégorie de stock | Stock disponible |