| Taper | La description |
| État de la pièce | Obsolete |
|---|---|
| Type FET | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1700V |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 500µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 20V |
| Vg (Max) | +25V, -10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 1000V |
| Fonction FET | - |
| Puissance dissipée (Max) | 52W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | D3Pak |
| Paquet / Caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Statut ROHS | RoHs conforme |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
| Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
| Catégorie de stock | Stock disponible |
