Taper | La description |
État de la pièce | Obsolete |
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Type FET | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 16A (Tc) (155°C) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 16A |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vg (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1534pF @ 35V |
Fonction FET | - |
Puissance dissipée (Max) | 330W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-276 |
Paquet / Caisse | TO-276AA |
Statut ROHS | RoHs conforme |
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Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
Catégorie de stock | Stock disponible |