Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gagner: 10.5dB ~ 14dB, Puissance - Max: 600mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gagner: 10dB ~ 13.5dB, Puissance - Max: 600mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gagner: 10dB ~ 13.5dB, Puissance - Max: 600mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Puissance - Max: 3W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz, Gagner: 9dB ~ 13dB, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 8GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Gagner: 9dB ~ 18dB, Puissance - Max: 500mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Gagner: 9dB ~ 14.5dB, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Gagner: 11dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Gagner: 9dB ~ 15.5dB, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gagner: 11dB ~ 12.5dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: 2 NPN (Dual), Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gagner: 12.5dB ~ 14.5dB, Puissance - Max: 150mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gagner: 13.5dB ~ 15dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Gagner: 12.5dB ~ 14dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gagner: 11dB ~ 13dB, Puissance - Max: 100mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 5.5V, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Gagner: 14dB ~ 16dB, Puissance - Max: 100mW,
