Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

SISS40DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

stock de pièces: 132140

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

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SIS892ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

stock de pièces: 153441

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

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SQS462EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

stock de pièces: 176128

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

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SI2309CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

stock de pièces: 133640

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

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SIR632DP-T1-RE3

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SIR632DP-T1-RE3

stock de pièces: 46133

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SUD50N04-8M8P-4GE3

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SUD50N04-8M8P-4GE3

stock de pièces: 180869

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ444EP-T1_GE3

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SQJ444EP-T1_GE3

stock de pièces: 136708

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

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SI3483CDV-T1-E3

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SI3483CDV-T1-E3

stock de pièces: 163997

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

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SI4116DY-T1-E3

stock de pièces: 132173

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

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SISS70DN-T1-GE3

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SISS70DN-T1-GE3

stock de pièces: 7742

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 125V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 31A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

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SQJ431AEP-T1_GE3

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SQJ431AEP-T1_GE3

stock de pièces: 7752

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

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SI4168DY-T1-GE3

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SI4168DY-T1-GE3

stock de pièces: 139862

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

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SIS476DN-T1-GE3

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SIS476DN-T1-GE3

stock de pièces: 139920

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

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SI2312BDS-T1-E3

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SI2312BDS-T1-E3

stock de pièces: 129611

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

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SIJ478DP-T1-GE3

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SIJ478DP-T1-GE3

stock de pièces: 100614

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQS401ENW-T1_GE3

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SQS401ENW-T1_GE3

stock de pièces: 7505

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

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SI8816EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

stock de pièces: 154242

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

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SIR414DP-T1-GE3

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SIR414DP-T1-GE3

stock de pièces: 93996

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ4080EY-T1_GE3

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SQ4080EY-T1_GE3

stock de pièces: 136730

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

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SIHU7N60E-GE3

stock de pièces: 83621

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI3430DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

stock de pièces: 180804

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

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SQ4435EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

stock de pièces: 7729

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

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SQ4410EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

stock de pièces: 118930

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJ858EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

stock de pièces: 7678

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

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SIR820DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

stock de pièces: 7711

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

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SQD100N02-3M5L_GE3

Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

stock de pièces: 7693

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

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SQJA94EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

stock de pièces: 165168

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

stock de pièces: 180858

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

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SIHD2N80E-GE3

stock de pièces: 7705

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

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SIJ462DP-T1-GE3

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SIJ462DP-T1-GE3

stock de pièces: 115885

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 46.5A(Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ840EP-T1_GE3

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SQJ840EP-T1_GE3

stock de pièces: 101267

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

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SQ4153EY-T1_GE3

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SQ4153EY-T1_GE3

stock de pièces: 7793

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

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SI4630DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

stock de pièces: 99320

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

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SIRA58ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

stock de pièces: 7640

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

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SI7686DP-T1-GE3

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SI7686DP-T1-GE3

stock de pièces: 96713

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

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SQJ464EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

stock de pièces: 5838

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

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