Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

SI5410DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5410DU-T1-GE3

stock de pièces: 139887

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1046X-T1-GE3

stock de pièces: 594

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V,

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SI4170DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4170DY-T1-GE3

stock de pièces: 632

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

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SIB800EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB800EDK-T1-GE3

stock de pièces: 598

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

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SQD50P04-13L_GE3

Vishay Siliconix

SQD50P04-13L_GE3

stock de pièces: 51938

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 17A, 10V,

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IRLR110TRPBF

stock de pièces: 168656

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

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SI1071X-T1-GE3

stock de pièces: 707

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167 mOhm @ 960mA, 10V,

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SI7196DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7196DP-T1-GE3

stock de pièces: 600

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRL620PBF

stock de pièces: 38368

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 5V,

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SI5463EDC-T1-E3

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SI5463EDC-T1-E3

stock de pièces: 421

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4A, 4.5V,

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IRLD110PBF

stock de pièces: 75536

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 600mA, 5V,

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SI1065X-T1-E3

stock de pièces: 402

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V,

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SI2302ADS-T1-E3

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SI2302ADS-T1-E3

stock de pièces: 415

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI7382DP-T1-E3

stock de pièces: 418

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 24A, 10V,

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SI7483ADP-T1-E3

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SI7483ADP-T1-E3

stock de pièces: 6063

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 24A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1488DH-T1-E3

stock de pièces: 436

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI1012X-T1-E3

stock de pièces: 412

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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SI3455ADV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3455ADV-T1-E3

stock de pièces: 456

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1058X-T1-E3

stock de pièces: 416

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

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SUM110N06-3M9H-E3

Vishay Siliconix

SUM110N06-3M9H-E3

stock de pièces: 22212

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 30A, 10V,

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SI1413EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1413EDH-T1-E3

stock de pièces: 6088

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

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SI3447BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3447BDV-T1-E3

stock de pièces: 447

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 4.5V,

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SI8424DB-T1-E1

stock de pièces: 491

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 8V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,

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SI4831DY-T1-E3

stock de pièces: 411

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

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SI3495DV-T1-E3

stock de pièces: 440

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V,

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SI1433DH-T1-E3

stock de pièces: 381

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

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SI5853DC-T1-E3

stock de pièces: 459

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

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SI1305EDL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1305EDL-T1-E3

stock de pièces: 470

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 8V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 860mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V,

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SI5485DU-T1-E3

stock de pièces: 483

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

TN0200K-T1-E3

stock de pièces: 471

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI8405DB-T1-E1

stock de pièces: 486

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4.5V,

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SI3441BDV-T1-E3

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SI3441BDV-T1-E3

stock de pièces: 462

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.45A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SIE800DF-T1-E3

stock de pièces: 487

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFBE30PBF

stock de pièces: 41858

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI5480DU-T1-E3

stock de pièces: 443

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.2A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIE830DF-T1-E3

stock de pièces: 450

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V,

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