Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7317DN-T1-GE3

stock de pièces: 140959

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHFR1N60A-GE3

stock de pièces: 9973

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

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SUM110N03-04P-E3

Vishay Siliconix

SUM110N03-04P-E3

stock de pièces: 1412

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHD6N62E-GE3

stock de pièces: 10246

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

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SIE820DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE820DF-T1-GE3

stock de pièces: 1474

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

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SI3476DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3476DV-T1-GE3

stock de pièces: 108008

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA52DP-T1-GE3

stock de pièces: 118887

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

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SI3443CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-GE3

stock de pièces: 193900

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

IRFP460APBF

stock de pièces: 17996

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

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SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

stock de pièces: 147875

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

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SIS435DNT-T1-GE3

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SIS435DNT-T1-GE3

stock de pièces: 181027

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI8439DB-T1-E1

stock de pièces: 114810

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 8V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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SI7812DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-GE3

stock de pièces: 73609

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI7463DP-T1-E3

stock de pièces: 62425

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V,

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SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AENW-T1_GE3

stock de pièces: 9941

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

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SI7655DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7655DN-T1-GE3

stock de pièces: 93051

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

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SI2319DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319DDS-T1-GE3

stock de pièces: 9907

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

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SUP90N06-5M0P-E3

Vishay Siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

stock de pièces: 1405

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

stock de pièces: 10077

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR9010TRLPBF

stock de pièces: 108086

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFS11N50APBF

stock de pièces: 23664

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHP25N40D-GE3

stock de pièces: 21622

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

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SI5441BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

stock de pièces: 139892

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

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SI3437DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3437DV-T1-GE3

stock de pièces: 195411

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

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SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3481EV-T1_GE3

stock de pièces: 9951

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V,

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SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR460DP-T1-GE3

stock de pièces: 139904

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

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SIR172ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

stock de pièces: 167026

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

SUD45P03-10-E3

stock de pièces: 1457

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHD6N80E-GE3

stock de pièces: 12856

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

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SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ433EP-T1_GE3

stock de pièces: 9965

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 16A, 10V,

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SIR662DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR662DP-T1-GE3

stock de pièces: 76185

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

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SI3469DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3469DV-T1-GE3

stock de pièces: 153423

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.7A, 10V,

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SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA80EP-T1_GE3

stock de pièces: 136685

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V,

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SIJ438DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

stock de pièces: 95214

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ463EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1_GE3

stock de pièces: 47733

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 18A, 10V,

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SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7114ADN-T1-GE3

stock de pièces: 191391

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

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