Mémoire | Circuits intégrés (CI) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

stock de pièces: 31647

Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NAND (SLC), Taille mémoire: 1Gb (128M x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

stock de pièces: 1188

Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NAND (SLC), Taille mémoire: 1Gb (128M x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

stock de pièces: 2187

Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NAND (SLC), Taille mémoire: 1Gb (128M x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

stock de pièces: 31568

Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NAND (SLC), Taille mémoire: 1Gb (128M x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

stock de pièces: 33157

Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NAND (SLC), Taille mémoire: 1Gb (128M x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

stock de pièces: 33183

Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NAND (SLC), Taille mémoire: 1Gb (128M x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 25ns,

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