Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

Texas Instruments

CSD25401Q3

stock de pièces: 667

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD22206WT

stock de pièces: 123191

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 8V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD19506KCS

stock de pièces: 14126

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

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Texas Instruments

CSD23201W10

stock de pièces: 723

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD19535KCS

stock de pièces: 21309

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 100A, 10V,

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Texas Instruments

CSD18535KTTT

stock de pièces: 24381

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 279A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

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Texas Instruments

CSD23203WT

stock de pièces: 199555

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 8V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD19503KCS

stock de pièces: 41236

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 60A, 10V,

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Texas Instruments

CSD18532Q5BT

stock de pièces: 40213

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

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Texas Instruments

CSD18531Q5AT

stock de pièces: 55771

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17559Q5

stock de pièces: 59831

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 40A, 10V,

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Texas Instruments

CSD16414Q5

stock de pièces: 79433

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

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Texas Instruments

CSD25485F5T

stock de pièces: 17362

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 900mA, 8V,

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Texas Instruments

CSD19538Q3A

stock de pièces: 137241

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

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Texas Instruments

CSD18534KCS

stock de pièces: 47342

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 40A, 10V,

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Texas Instruments

CSD16401Q5

stock de pièces: 67501

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17301Q5A

stock de pièces: 101004

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 8V,

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Texas Instruments

CSD17552Q3A

stock de pièces: 186191

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17522Q5A

stock de pièces: 146931

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 14A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17581Q3A

stock de pièces: 198233

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 16A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17577Q5A

stock de pièces: 147774

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17553Q5A

stock de pièces: 124018

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17578Q5AT

stock de pièces: 133644

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 10A, 10V,

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Texas Instruments

CSD17585F5

stock de pièces: 192824

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 900mA, 10V,

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Texas Instruments

CSD18504Q5AT

stock de pièces: 100924

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 17A, 10V,

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Texas Instruments

CSD22204WT

stock de pièces: 179951

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 8V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD19538Q2T

stock de pièces: 164208

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

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Texas Instruments

CSD13385F5

stock de pièces: 112440

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 900mA, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD23382F4T

stock de pièces: 164186

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD17313Q2Q1

stock de pièces: 147202

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

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Texas Instruments

CSD17571Q2

stock de pièces: 172113

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V,

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Texas Instruments

CSD16325Q5C

stock de pièces: 73079

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

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Texas Instruments

CSD16323Q3C

stock de pièces: 145322

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,

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Texas Instruments

CSD17306Q5A

stock de pièces: 132830

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 22A, 8V,

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Texas Instruments

CSD17507Q5A

stock de pièces: 69833

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,

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Texas Instruments

CSD16325Q5

stock de pièces: 80364

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

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