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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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SS14L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L RUG

stock de pièces: 106

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS23L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L R3G

stock de pièces: 98

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1ML M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML M2G

stock de pièces: 188

Type de diode: Standard, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.8µs,

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S1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AL R3G

stock de pièces: 186

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.8µs,

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UG58GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG58GHB0G

stock de pièces: 186

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2.1V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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RS1JLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHR3G

stock de pièces: 121

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 800mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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SRT14 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT14 A0G

stock de pièces: 154

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RSFJL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJL M2G

stock de pièces: 135

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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SS210L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L RUG

stock de pièces: 189

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR215 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR215 R0G

stock de pièces: 114

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1JL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL M2G

stock de pièces: 137

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 800mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 250ns,

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ES1LD M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LD M2G

stock de pièces: 117

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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F1T4G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4G A1G

stock de pièces: 180

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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RS1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL R3G

stock de pièces: 156

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 800mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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RS1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL R3G

stock de pièces: 137

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 800mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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HS1JL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1JL RVG

stock de pièces: 129

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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RSFBL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL R3G

stock de pièces: 187

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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SS215L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L R3G

stock de pièces: 158

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS14LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14LHR3G

stock de pièces: 167

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UG56G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG56G B0G

stock de pièces: 148

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.55V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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SS16LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHM2G

stock de pièces: 135

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS23LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHR3G

stock de pièces: 157

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1JLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHM2G

stock de pièces: 149

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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S1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHR3G

stock de pièces: 124

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.8µs,

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SS15L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15L R3G

stock de pièces: 120

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UGS5JHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

UGS5JHMNG

stock de pièces: 127

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 2V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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RS1DL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL RUG

stock de pièces: 173

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 800mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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ES1GL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GL RUG

stock de pièces: 186

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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F1T6G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T6G A0G

stock de pièces: 113

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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S1ALHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ALHRVG

stock de pièces: 110

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.8µs,

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RSFBLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHR3G

stock de pièces: 152

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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S1GLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHRUG

stock de pièces: 159

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 1A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 1.8µs,

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SRT115 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT115 A0G

stock de pièces: 99

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 900mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RS1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHRUG

stock de pièces: 128

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 800mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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UG54GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG54GHB0G

stock de pièces: 147

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.05V @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 20ns,

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RS1KLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHR3G

stock de pièces: 132

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 800V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 800mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 800mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 500ns,

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