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RFQS / Commande
0RFQS / Commande

Diodes - Redresseurs - Simples

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  • Diodes - Redresseurs - Simples
HER106G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER106G B0G

stock de pièces: 99

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SK20H45 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK20H45 R0G

stock de pièces: 136

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FR104G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR104G R1G

stock de pièces: 159

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 150ns,

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SFA805GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA805GHC0G

stock de pièces: 79

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SF47G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF47G B0G

stock de pièces: 77

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 500V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MUR4L40 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L40 B0G

stock de pièces: 174

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.28V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SRA20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA20100HC0G

stock de pièces: 88

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 20A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 20A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SF16GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF16GHA0G

stock de pièces: 99

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SF34GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF34GHB0G

stock de pièces: 99

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SRAS8150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS8150HMNG

stock de pièces: 92

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFA1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1002G C0G

stock de pièces: 149

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SRT19 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRT19 R0G

stock de pièces: 146

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 800mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GPAS1005 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

GPAS1005 MNG

stock de pièces: 136

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.1V @ 10A, La vitesse: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SFT13G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT13G A0G

stock de pièces: 146

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 150V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SR006HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR006HB0G

stock de pièces: 151

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HT16G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT16G A1G

stock de pièces: 103

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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SF805G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF805G C0G

stock de pièces: 176

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SF32GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF32GHB0G

stock de pièces: 158

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 950mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SR802HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR802HA0G

stock de pièces: 83

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HER306G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER306G B0G

stock de pièces: 109

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 75ns,

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HER601G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER601G A0G

stock de pièces: 82

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SF61G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF61G B0G

stock de pièces: 104

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 975mV @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SF35G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF35G A0G

stock de pièces: 91

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 300V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SR004HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR004HB0G

stock de pièces: 169

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR005HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR005HB0G

stock de pièces: 100

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 700mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SF68GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHB0G

stock de pièces: 174

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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HT12G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT12G R0G

stock de pièces: 156

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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HER105G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER105G B0G

stock de pièces: 151

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.3V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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UF1A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1A R1G

stock de pièces: 105

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 50ns,

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SF48GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF48GHB0G

stock de pièces: 113

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 4A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 4A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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SR109HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR109HB0G

stock de pièces: 110

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 90V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR810 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR810 B0G

stock de pièces: 117

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR1502 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1502 B0G

stock de pièces: 162

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SFA1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1008G C0G

stock de pièces: 139

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 600V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.7V @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 35ns,

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MBR7100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR7100 C0G

stock de pièces: 89

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 920mV @ 7.5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR745 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR745 C0G

stock de pièces: 106

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 7.5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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