Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 64Kb (8K x 8), Fréquence d'horloge: 400kHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 4Kb (512 x 8), Fréquence d'horloge: 400kHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 2Kb (128 x 16), Fréquence d'horloge: 2MHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NAND, Taille mémoire: 256Mb (16M x 16), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 50ns,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH, Taille mémoire: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 110ns,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NOR, Taille mémoire: 1Mb (128K x 8), Fréquence d'horloge: 50MHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms, 15ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 16Kb (2K x 8), Fréquence d'horloge: 400kHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Fréquence d'horloge: 2MHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 4Kb (512 x 8), Fréquence d'horloge: 400kHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: NVSRAM, La technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Taille mémoire: 1Mb (128K x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 70ns,
Type de mémoire: Volatile, Formater la mémoire: SRAM, La technologie: SRAM - Asynchronous, Taille mémoire: 4Mb (256K x 16), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 70ns,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Fréquence d'horloge: 2MHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NOR, Taille mémoire: 64Mb (4M x 16), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 90ns,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 8Kb (1K x 8), Fréquence d'horloge: 20MHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH, Taille mémoire: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 90ns,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Fréquence d'horloge: 2MHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: NVSRAM, La technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Taille mémoire: 256Kb (32K x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 100ns,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: FLASH, La technologie: FLASH - NOR, Taille mémoire: 4Mb (512K x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 45ns,
Type de mémoire: Volatile, Formater la mémoire: SRAM, La technologie: SRAM - Asynchronous, Taille mémoire: 256Kb (32K x 8), Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 70ns,
Type de mémoire: Non-Volatile, Formater la mémoire: EEPROM, La technologie: EEPROM, Taille mémoire: 4Kb (512 x 8), Fréquence d'horloge: 400kHz, Temps de cycle d'écriture - Word, Page: 5ms,
