Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

STMicroelectronics

STU3LN62K3

stock de pièces: 51638

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 620V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.25A, 10V,

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STMicroelectronics

STP45NF06

stock de pièces: 55130

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 19A, 10V,

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STMicroelectronics

STB60NF06T4

stock de pièces: 82455

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

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STMicroelectronics

STB42N60M2-EP

stock de pièces: 23744

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 17A, 10V,

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STMicroelectronics

STE60N105DK5

stock de pièces: 1903

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1050V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 23A, 10V,

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STMicroelectronics

STW57N65M5

stock de pièces: 5021

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 21A, 10V,

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STMicroelectronics

STU80N4F6

stock de pièces: 36435

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 40A, 10V,

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STMicroelectronics

STP7N60M2

stock de pièces: 46389

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STQ1HN60K3-AP

stock de pièces: 123790

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 400mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 600mA, 10V,

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STMicroelectronics

STB21NM60ND

stock de pièces: 20199

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB35NF10T4

stock de pièces: 72944

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STW12NK80Z

stock de pièces: 14247

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.25A, 10V,

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STMicroelectronics

STF17NF25

stock de pièces: 29197

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB45N50DM2AG

stock de pièces: 25746

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 17.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STP30NF10

stock de pièces: 44709

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 15A, 10V,

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STMicroelectronics

STW50N65DM2AG

stock de pièces: 9391

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 19A, 10V,

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STMicroelectronics

STW69N65M5

stock de pièces: 3411

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 29A, 10V,

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STMicroelectronics

STW34N65M5

stock de pièces: 6460

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14A, 10V,

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STMicroelectronics

SCTWA50N120

stock de pièces: 2914

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 40A, 20V,

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STMicroelectronics

STP10NM60N

stock de pièces: 23282

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V,

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STB80NF55L-08-1

STMicroelectronics

STB80NF55L-08-1

stock de pièces: 21569

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

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STMicroelectronics

STF7N60M2

stock de pièces: 45817

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB180N55F3

stock de pièces: 20195

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 60A, 10V,

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STMicroelectronics

STP4NK80Z

stock de pièces: 40922

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STB270N4F3

stock de pièces: 27514

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V,

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STMicroelectronics

STP40NF10L

stock de pièces: 32481

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

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STMicroelectronics

SCT30N120

stock de pièces: 2560

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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STMicroelectronics

STB19NF20

stock de pièces: 72888

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STP36NF06L

stock de pièces: 45226

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

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STMicroelectronics

STB7N52K3

stock de pièces: 64351

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 525V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 3.1A, 10V,

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STMicroelectronics

STL18N55M5

stock de pièces: 1558

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 550V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 13A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 6A, 10V,

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STMicroelectronics

STP80NF10

stock de pièces: 23718

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V,

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STMicroelectronics

STD60N3LH5

stock de pièces: 1537

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 24A, 10V,

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STMicroelectronics

STD60NH03L-1

stock de pièces: 1532

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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STMicroelectronics

STB12NM50N

stock de pièces: 1469

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

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STMicroelectronics

STH250N55F3-6

stock de pièces: 6182

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 60A, 10V,

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