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RFQS / Commande
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Transistors - FET, MOSFET - Simple

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STI100N10F7
STMicroelectronics

STI100N10F7

stock de pièces: 336

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 80A,

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STL8P4LLF6
STMicroelectronics

STL8P4LLF6

stock de pièces: 186505

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 4A, 10V,

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STB30N80K5
STMicroelectronics

STB30N80K5

stock de pièces: 20527

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 12A, 10V,

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STP200N3LL
STMicroelectronics

STP200N3LL

stock de pièces: 49493

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 60A, 10V,

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STB42N65M5
STMicroelectronics

STB42N65M5

stock de pièces: 10398

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 16.5A, 10V,

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STP15N95K5
STMicroelectronics

STP15N95K5

stock de pièces: 27570

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 950V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

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STW35N60M2-EP
STMicroelectronics

STW35N60M2-EP

stock de pièces: 279

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V,

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STW9N80K5
STMicroelectronics

STW9N80K5

stock de pièces: 41417

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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STW70N65M2
STMicroelectronics

STW70N65M2

stock de pièces: 8213

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 31.5A, 10V,

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STE70NM60
STMicroelectronics

STE70NM60

stock de pièces: 2016

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 30A, 10V,

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STW240N10F7
STMicroelectronics

STW240N10F7

stock de pièces: 32920

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 90A, 10V,

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STL42P6LLF6
STMicroelectronics

STL42P6LLF6

stock de pièces: 113778

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.5A, 10V,

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STP38N65M5
STMicroelectronics

STP38N65M5

stock de pièces: 8367

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

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STW30N65M5
STMicroelectronics

STW30N65M5

stock de pièces: 7089

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139 mOhm @ 11A, 10V,

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STL12N60M2
STMicroelectronics

STL12N60M2

stock de pièces: 89690

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 4.5A, 10V,

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STW6N95K5
STMicroelectronics

STW6N95K5

stock de pièces: 31352

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 950V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

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STF20N95K5
STMicroelectronics

STF20N95K5

stock de pièces: 10033

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 950V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 9A, 10V,

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STL45N10F7AG
STMicroelectronics

STL45N10F7AG

stock de pièces: 320

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V,

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STL36N55M5
STMicroelectronics

STL36N55M5

stock de pièces: 14763

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 550V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 16.5A, 10V,

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STL33N60DM2
STMicroelectronics

STL33N60DM2

stock de pièces: 24421

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V,

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STH175N4F6-2AG
STMicroelectronics

STH175N4F6-2AG

stock de pièces: 75088

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 60A, 10V,

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STL115N10F7AG
STMicroelectronics

STL115N10F7AG

stock de pièces: 336

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 107A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 53A, 10V,

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STL16N60M2
STMicroelectronics

STL16N60M2

stock de pièces: 57672

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355 mOhm @ 4A, 10V,

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STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics

STH275N8F7-2AG

stock de pièces: 29029

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 90A, 10V,

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STF5N60M2
STMicroelectronics

STF5N60M2

stock de pièces: 86662

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V,

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STL30P3LLH6
STMicroelectronics

STL30P3LLH6

stock de pièces: 158527

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 10V,

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STP45N65M5
STMicroelectronics

STP45N65M5

stock de pièces: 9379

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 650V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 19.5A, 10V,

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STS10P4LLF6
STMicroelectronics

STS10P4LLF6

stock de pièces: 131391

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V,

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STL62P3LLH6
STMicroelectronics

STL62P3LLH6

stock de pièces: 177502

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 7A, 10V,

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STL260N3LLH6
STMicroelectronics

STL260N3LLH6

stock de pièces: 73415

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 22.5A, 10V,

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STP20NM50
STMicroelectronics

STP20NM50

stock de pièces: 37675

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

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STF43N60DM2
STMicroelectronics

STF43N60DM2

stock de pièces: 12670

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 17A, 10V,

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STWA40N90K5
STMicroelectronics

STWA40N90K5

stock de pièces: 5223

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 20A, 10V,

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STP140N8F7
STMicroelectronics

STP140N8F7

stock de pièces: 18255

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 45A, 10V,

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STP20NM60
STMicroelectronics

STP20NM60

stock de pièces: 11356

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V,

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STF25N80K5
STMicroelectronics

STF25N80K5

stock de pièces: 7136

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 19.5A, 10V,

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