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Type de transistor: NPN + Diode (Isolated), Courant - Collecteur (Ic) (Max): 1A, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Courant - Coupure du collecteur (Max): 100nA (ICBO), Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,