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Type de transistor: NPN - Pre-Biased, Courant - Collecteur (Ic) (Max): 200mA, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 30V, Résistance - Base (R1): 4.7 kOhms, Résistance - Emetteur Base (R2): 10 kOhms, Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,