Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 13

HAT2169H-EL-E

stock de pièces: 45562

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

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Renesas Electronics America

HAT2165H-EL-E

stock de pièces: 54192

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V,

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Renesas Electronics America

RJK6002DPH-E0#T2

stock de pièces: 130040

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 Ohm @ 1A, 10V,

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Renesas Electronics America

RJK0305DPB-02#J0

stock de pièces: 110671

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,

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Renesas Electronics America

RJK6032DPD-00#J2

stock de pièces: 125861

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Renesas Electronics America

RJK0651DPB-00#J5

stock de pièces: 125202

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 12.5A, 10V,

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Renesas Electronics America

RJK6032DPH-E0#T2

stock de pièces: 51948

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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