Diodes - Redresseurs - Simples | Produits à semi-conducteurs discrets | 13

PMEG2010AEBF

stock de pièces: 154200

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 620mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6002EBF

stock de pièces: 121500

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

PMEG10030ELPX

stock de pièces: 193077

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 770mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 8ns,

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Nexperia USA Inc.

RB520S30YL

stock de pièces: 182417

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 600mV @ 200mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

RB521S30,115

stock de pièces: 174908

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 200mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 500mV @ 200mA, La vitesse: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

ES1DRX

stock de pièces: 148792

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 930mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Nexperia USA Inc.

ES1DVRX

stock de pièces: 170022

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 200V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 875mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG1201AESFYL

stock de pièces: 2281

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 12V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 100mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 200mV @ 30mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 2.2ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG060V030EPDZ

stock de pièces: 123547

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 530mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG030V050EPDZ

stock de pièces: 121458

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 550mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 16ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG030V030EPDZ

stock de pièces: 180038

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG040V030EPDZ

stock de pièces: 114545

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 490mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 13ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG040V050EPDZ

stock de pièces: 166206

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 13ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG45A10EPDZ

stock de pièces: 126741

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 10A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 540mV @ 10A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 13ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG100V080ELPDZ

stock de pièces: 144131

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 8A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 850mV @ 8A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 10ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005AEA/8X

stock de pièces: 1447

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 470mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2005AEA/DG,115

stock de pièces: 1297

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6020ETP,115

stock de pièces: 137873

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 60V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 530mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 8.6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4020EPASX

stock de pièces: 164587

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 535mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010CEGWX

stock de pièces: 128675

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 570mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG100V060ELPDZ

stock de pièces: 107376

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 6A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 840mV @ 6A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 8ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020DEP,115

stock de pièces: 127640

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010CEJ,115

stock de pièces: 132209

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020EPA,115

stock de pièces: 121236

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 470mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 47ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG40T50EPX

stock de pièces: 9971

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 5A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 470mV @ 5A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 24ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG10020AELPX

stock de pièces: 149972

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 100V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 770mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020CEP,115

stock de pièces: 114518

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 420mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010EP,115

stock de pièces: 152778

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 360mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020BER,115

stock de pièces: 160209

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 520mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG045V150EPDAZ

stock de pièces: 154993

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 45V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 15A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 490mV @ 15A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 19ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG050V030EPDZ

stock de pièces: 173552

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 50V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 3A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 530mV @ 3A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010BEV,115

stock de pièces: 174450

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 30V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A (DC), Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 560mV @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG40T20ERX

stock de pièces: 9949

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 450mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 11.5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2005EGWX

stock de pièces: 121506

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 20V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 500mA, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 390mV @ 500mA, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4020EPA,115

stock de pièces: 142386

Type de diode: Schottky, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 40V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 2A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 535mV @ 2A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 85ns,

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Nexperia USA Inc.

ES1GRX

stock de pièces: 9970

Type de diode: Standard, Tension - CC inverse (Vr) (Max): 400V, Courant - Moyenne rectifiée (Io): 1A, Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si: 1.25V @ 1A, La vitesse: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de récupération inverse (trr): 25ns,

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