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RFQS / Commande
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Transistors - FET, MOSFET - Simple

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PMZB550UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZB550UNEYL

stock de pièces: 180213

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V,

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PSMN041-80YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN041-80YLX

stock de pièces: 126580

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

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PMV50UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV50UPE,215

stock de pièces: 147116

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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NX3008PBK,215
Nexperia USA Inc.

NX3008PBK,215

stock de pièces: 139409

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

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PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNE2YL

stock de pièces: 130425

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

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PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-30YL,115

stock de pièces: 133524

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

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PMV48XPAR
Nexperia USA Inc.

PMV48XPAR

stock de pièces: 125231

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

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PSMN020-100YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN020-100YS,115

stock de pièces: 189766

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 15A, 10V,

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PMPB33XP,115
Nexperia USA Inc.

PMPB33XP,115

stock de pièces: 189292

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

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PSMN2R8-40PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-40PS,127

stock de pièces: 38801

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 10A, 10V,

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PMV33UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV33UPE,215

stock de pièces: 199109

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 4.5V,

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PMZB290UNE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB290UNE,315

stock de pièces: 111836

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-100PS,127

stock de pièces: 23900

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

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PMV30XPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV30XPEAR

stock de pièces: 108272

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

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PSMN5R0-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-80PS,127

stock de pièces: 38384

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS,115

stock de pièces: 164155

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

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PML260SN,118
Nexperia USA Inc.

PML260SN,118

stock de pièces: 143183

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294 mOhm @ 2.6A, 10V,

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PMPB10XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB10XNEZ

stock de pièces: 181421

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

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PMPB23XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB23XNEZ

stock de pièces: 124658

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

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PHP23NQ11T,127
Nexperia USA Inc.

PHP23NQ11T,127

stock de pièces: 71793

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 110V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

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PSMN034-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN034-100PS,127

stock de pièces: 62612

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 15A, 10V,

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PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNEYL

stock de pièces: 177703

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC,115

stock de pièces: 134456

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

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PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401VPEZ

stock de pièces: 102564

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

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PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UNEZ

stock de pièces: 162770

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,

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PSMN4R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60PS,127

stock de pièces: 39675

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN3R8-100BS,118

stock de pièces: 41338

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN021-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN021-100YLX

stock de pièces: 167405

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 15A, 10V,

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PMV50XPR
Nexperia USA Inc.

PMV50XPR

stock de pièces: 136553

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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PSMN1R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-30YLDX

stock de pièces: 160382

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42 mOhm @ 25A, 10V,

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PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNELYL

stock de pièces: 129738

Type FET: N-Channel, Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ370UNEYL

stock de pièces: 109327

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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PMCM6501UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM6501UNEZ

stock de pièces: 195673

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,

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PMZB350UPE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB350UPE,315

stock de pièces: 138063

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V,

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PMCM4401UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UPEZ

stock de pièces: 142773

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 4.5V,

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PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB43UNEZ

stock de pièces: 21530

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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