Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

BUK9637-100E,118

Nexperia USA Inc.

BUK9637-100E,118

stock de pièces: 152952

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 10A, 10V,

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BUK7675-100A,118

Nexperia USA Inc.

BUK7675-100A,118

stock de pièces: 154233

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y3R5-40HX

stock de pièces: 171792

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9Y30-75B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y30-75B,115

stock de pièces: 158256

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK7Y28-75B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y28-75B,115

stock de pièces: 57275

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 35.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AK,215

stock de pièces: 138744

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

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BUK7620-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK7620-55A,118

stock de pièces: 162199

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSH103,215

stock de pièces: 166505

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 850mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y8R7-60EX

stock de pièces: 189124

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

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BUK9Y4R4-40E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y4R4-40E,115

stock de pièces: 176290

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9Y22-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y22-100E,115

stock de pièces: 176273

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y22-100EX

stock de pièces: 176258

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK7Y07-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y07-30B,115

stock de pièces: 169049

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK6Y25-40PX

stock de pièces: 7563

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK6Y20-30PX

stock de pièces: 7565

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 41A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.6A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK6Y57-60PX

stock de pièces: 7564

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4.8A, 10V,

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BUK9Y09-40B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y09-40B,115

stock de pièces: 110626

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9Y19-55B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-55B,115

stock de pièces: 184926

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3 mOhm @ 20A, 10V,

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BUK7215-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK7215-55A,118

stock de pièces: 184537

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9Y12-55B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y12-55B,115

stock de pièces: 157132

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y7R6-40EX

stock de pièces: 198211

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 79A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 10V,

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BUK9Y7R6-40E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y7R6-40E,115

stock de pièces: 198162

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 79A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

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BUK9222-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9222-55A,118

stock de pièces: 158747

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y38-100EX

stock de pièces: 187451

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9Y15-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y15-60E,115

stock de pièces: 145117

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK9Y38-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y38-100E,115

stock de pièces: 190328

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 5V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y15-60EX

stock de pièces: 139327

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M7R2-40EX

stock de pièces: 131482

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M5R2-30EX

stock de pièces: 121837

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M12-60EX

stock de pièces: 142578

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M34-100EX

stock de pièces: 192080

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9M23-80EX

stock de pièces: 157932

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7Y25-80EX

stock de pièces: 141781

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M6R3-40EX

stock de pièces: 109656

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M9R9-60EX

stock de pièces: 183235

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7M17-80EX

stock de pièces: 194786

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 80V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

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