Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

Microchip Technology

TN0104N8-G

stock de pièces: 87217

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 630mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN0604N3-G

stock de pièces: 71131

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 700mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

DN2530N8-G

stock de pièces: 138406

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

TN2504N8-G

stock de pièces: 89487

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 890mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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LND150N3-G-P003

Microchip Technology

LND150N3-G-P003

stock de pièces: 183599

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

DN2540N3-G

stock de pièces: 97638

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

TN5335N8-G

stock de pièces: 108979

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2106N3-G

stock de pièces: 187819

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN3205N8-G

stock de pièces: 68394

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 50V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

TN5325K1-G

stock de pièces: 183601

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TP5322K1-G

stock de pièces: 166067

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 220V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2110K1-G

stock de pièces: 193820

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0702N3-G

stock de pièces: 65974

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 530mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 5V,

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Microchip Technology

LND01K1-G

stock de pièces: 142227

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 9V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 0V,

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Microchip Technology

TN2640K4-G

stock de pièces: 43675

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2106N3-G

stock de pièces: 146510

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2222LL-G

stock de pièces: 174426

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94030BM4 TR

stock de pièces: 9877

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 16V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94052BC6-TR

stock de pièces: 9895

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 6V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94053BC6-TR

stock de pièces: 9815

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 6V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94050BM4 TR

stock de pièces: 9820

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 6V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94051BM4 TR

stock de pièces: 9843

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 6V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

TP5335K1-G

stock de pièces: 109016

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 85mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2110K1-G

stock de pièces: 158520

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

LND250K1-G

stock de pièces: 182364

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

TN2524N8-G

stock de pièces: 81176

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 240V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94052YC6-TR

stock de pièces: 171800

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 6V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94031BM4 TR

stock de pièces: 9583

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 16V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2106K1-G

stock de pièces: 193802

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94031YM4-TR

stock de pièces: 9555

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 16V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3135N8-G

stock de pièces: 151019

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 135mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2540N8-G

stock de pièces: 115855

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

DN3545N8-G

stock de pièces: 124604

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 450V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2625K4-G

stock de pièces: 75520

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

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Microchip Technology

VN2450N8-G

stock de pièces: 83065

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 250mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3135K1-G

stock de pièces: 178009

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 72mA (Tj), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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