Capacité @ Vr, F: 1.1pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 4.1, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 22V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 3.3pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 5.6, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 22V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 10, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 22V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 10, État du rapport de capacité: C2/C20, Tension - Crête inversée (Max): 22V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz,
Capacité @ Vr, F: 0.7pF @ 4V, 1MHz, Rapport de capacité: 5.5, État du rapport de capacité: C0/C20, Tension - Crête inversée (Max): 20V, Type de diode: Single, Q @ Vr, F: 4500 @ 4V, 50MHz,
