Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 1

LSIC1MO120E0080

stock de pièces: 1259

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0160

stock de pièces: 1034

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 20V,

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Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0120

stock de pièces: 1693

Type FET: N-Channel, La technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 20V,

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