Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 840mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 39nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 33nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 40nH, Tolérance: ±5%,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 22nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 9nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 700mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 30nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 8.7nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 24nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 24nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 600mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 11nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 68nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 100mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 12nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.1nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 13nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 1nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 6.8nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 250mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 300mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.3nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 700mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.3nH, Tolérance: ±0.3nH,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 16nH, Tolérance: ±10%,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 40nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 600mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 36nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 500mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 1.9nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 3nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 2.2nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 200mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 23nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 24nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 300mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 13nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 600mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 82nH, Tolérance: ±10%, Note actuelle: 100mA,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 23nH, Tolérance: ±10%,
Taper: Wirewound, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 13nH, Tolérance: ±2%, Note actuelle: 600mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 5.1nH, Tolérance: ±0.3nH, Note actuelle: 300mA,
Taper: Multilayer, Matériau - Noyau: Ceramic, Inductance: 20nH, Tolérance: ±5%, Note actuelle: 200mA,