Transistors - FET, MOSFET - Simple | Produits à semi-conducteurs discrets | 1

CPC3902ZTR

stock de pièces: 131537

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

stock de pièces: 108608

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

stock de pièces: 173406

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

stock de pièces: 110408

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

stock de pièces: 127604

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

stock de pièces: 180680

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

stock de pièces: 173441

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

stock de pièces: 1443

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

stock de pièces: 126520

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

stock de pièces: 1407

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

stock de pièces: 1380

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

stock de pièces: 198190

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

stock de pièces: 1385

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

stock de pièces: 6160

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

stock de pièces: 67206

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 415V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

stock de pièces: 335

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

stock de pièces: 103573

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

stock de pièces: 127786

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

stock de pièces: 107138

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

stock de pièces: 185051

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 350V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5mA (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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