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RFQS / Commande
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Transistors - FET, MOSFET - Simple

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IXTH36N20T
IXYS

IXTH36N20T

stock de pièces: 25576

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc),

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IXTA36N20T
IXYS

IXTA36N20T

stock de pièces: 28387

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc),

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IXTA98N075T7
IXYS

IXTA98N075T7

stock de pièces: 34194

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 98A (Tc),

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IXKP10N60C5
IXYS

IXKP10N60C5

stock de pièces: 25791

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

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IXTA15P15T
IXYS

IXTA15P15T

stock de pièces: 29566

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 7A, 10V,

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IXTA300N04T2-7
IXYS

IXTA300N04T2-7

stock de pièces: 16176

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 50A, 10V,

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IXTP44N25T
IXYS

IXTP44N25T

stock de pièces: 28114

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

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IXKP13N60C5M
IXYS

IXKP13N60C5M

stock de pièces: 21784

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V,

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IXTP44N15T
IXYS

IXTP44N15T

stock de pièces: 33977

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

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IXTH44N30T
IXYS

IXTH44N30T

stock de pièces: 18194

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

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IXTQ160N10T
IXYS

IXTQ160N10T

stock de pièces: 21652

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

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IXFP12N50PM
IXYS

IXFP12N50PM

stock de pièces: 29681

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

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IXTA8N50P
IXYS

IXTA8N50P

stock de pièces: 26372

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

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IXTQ54N30T
IXYS

IXTQ54N30T

stock de pièces: 16793

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 54A (Tc),

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IXTQ14N60P
IXYS

IXTQ14N60P

stock de pièces: 21983

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 7A, 10V,

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IXTA2N100
IXYS

IXTA2N100

stock de pièces: 20012

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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IXTA2N80
IXYS

IXTA2N80

stock de pièces: 21299

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 500mA, 10V,

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IXTH16P20
IXYS

IXTH16P20

stock de pièces: 17700

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTH48N20T
IXYS

IXTH48N20T

stock de pièces: 22543

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Tc),

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IXTP1N80
IXYS

IXTP1N80

stock de pièces: 26916

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

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IXTP12N50PM
IXYS

IXTP12N50PM

stock de pièces: 28021

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

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IXKP13N60C5
IXYS

IXKP13N60C5

stock de pièces: 21965

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V,

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IXFP130N10T
IXYS

IXFP130N10T

stock de pièces: 26089

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

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IXTQ56N15T
IXYS

IXTQ56N15T

stock de pièces: 27551

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 56A (Tc),

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IXKP20N60C5
IXYS

IXKP20N60C5

stock de pièces: 15855

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V,

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IXTP36N30T
IXYS

IXTP36N30T

stock de pièces: 28068

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFA16N50P
IXYS

IXFA16N50P

stock de pièces: 22546

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8A, 10V,

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IXTA36N30T
IXYS

IXTA36N30T

stock de pièces: 27008

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTY2N100P
IXYS

IXTY2N100P

stock de pièces: 30758

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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IXTP110N055P
IXYS

IXTP110N055P

stock de pièces: 24755

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 55V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTA10N60P
IXYS

IXTA10N60P

stock de pièces: 27251

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 5A, 10V,

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IXTH90N15T
IXYS

IXTH90N15T

stock de pièces: 18231

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V,

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IXTQ44N30T
IXYS

IXTQ44N30T

stock de pièces: 18958

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 44A (Tc),

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IXTA27N20T
IXYS

IXTA27N20T

stock de pièces: 33120

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 27A (Tc),

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IXTP38N15T
IXYS

IXTP38N15T

stock de pièces: 34896

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Tc),

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IXTA56N15T
IXYS

IXTA56N15T

stock de pièces: 28394

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 28A, 10V,

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