Transistors - FET, MOSFET - Simple

Domicile
Transistors - FET, MOSFET - Simple

IXTK22N100L

stock de pièces: 2419

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 11A, 20V,

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IXTN21N100

stock de pièces: 2150

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFE48N50QD2

stock de pièces: 2200

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V,

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IXFN24N90Q

stock de pièces: 2256

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Tc),

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MMIX1F210N30P3

stock de pièces: 2903

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 105A, 10V,

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IXTT12N140

stock de pièces: 1736

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1400V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 6A, 10V,

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IXFH26N50P

stock de pièces: 10406

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

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IXFL60N60

stock de pièces: 2758

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 30A, 10V,

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IXFE55N50

stock de pièces: 2858

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXTT1N100

stock de pièces: 1583

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 1A, 10V,

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IXTF03N400

stock de pièces: 1523

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 4000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 Ohm @ 150mA, 10V,

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IXFE50N50

stock de pièces: 2928

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 25A, 10V,

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IXFN280N07

stock de pièces: 2964

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 70V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 280A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 120A, 10V,

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IXFX30N110P

stock de pièces: 2774

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V,

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IXTA02N250

stock de pièces: 1465

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 2500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 Ohm @ 50mA, 10V,

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IXFH60N50P3

stock de pièces: 8679

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

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IXFE44N60

stock de pièces: 2873

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

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IXFL39N90

stock de pièces: 2704

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19.5A, 10V,

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IXFR30N110P

stock de pièces: 2552

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 15A, 10V,

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IXFN180N07

stock de pièces: 3099

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 70V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFN100N25

stock de pièces: 1451

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 250V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTN60N50L2

stock de pièces: 1874

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

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IXFK30N110P

stock de pièces: 2668

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V,

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IXFH40N30Q

stock de pièces: 6457

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFL44N60

stock de pièces: 2950

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

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IXFR38N80Q2

stock de pièces: 2763

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 19A, 10V,

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IXFK38N80Q2

stock de pièces: 2835

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V,

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IXTK21N100

stock de pièces: 2617

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 1000V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTA02N450HV

stock de pièces: 5672

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 4500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 Ohm @ 10mA, 10V,

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IXTY55N075T

stock de pièces: 1589

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 75V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXFN73N30Q

stock de pièces: 2757

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFT52N30Q

stock de pièces: 4750

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 300V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFX38N80Q2

stock de pièces: 2871

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V,

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IXFK170N10

stock de pièces: 3114

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFR24N90Q

stock de pièces: 3195

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 900V,

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IXKG25N80C

stock de pièces: 3196

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 800V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 9A, 10V,

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