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Type FET: N-Channel, La technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain à la tension de source (Vdss): 1200V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,