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Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 5.5V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 12A, 4.5V,
