Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V, Fréquence - Transition: 2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 500MHz, Gagner: 10dB, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.9GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 1.2GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 900MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Puissance - Max: 625mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.4GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 5.5dB @ 800MHz, Gagner: 23dB, Puissance - Max: 200mW,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 40V, Fréquence - Transition: 500MHz, Puissance - Max: 1W,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 2.5GHz, Gagner: 25dB, Puissance - Max: 300mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 1.45GHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Gagner: 15dB, Puissance - Max: 250mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 15V, Fréquence - Transition: 600MHz, Facteur de bruit (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Gagner: 11dB, Puissance - Max: 350mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 12V,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz,
Type de transistor: PNP, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 20V, Fréquence - Transition: 600MHz, Puissance - Max: 225mW,
Type de transistor: NPN, Tension - Répartition de l'émetteur du collecteur (Max): 25V, Fréquence - Transition: 650MHz, Puissance - Max: 350mW,
