| Taper | La description |
| État de la pièce | Active |
|---|---|
| Type FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Fonction FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 337A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Puissance - Max | 2140W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / Caisse | Module |
| Package d'appareils du fournisseur | Module |
| Statut ROHS | RoHs conforme |
|---|---|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | N'est pas applicable |
| Statut de cycle de vie | Obsolète / fin de vie |
| Catégorie de stock | Stock disponible |
