Transistors - FET, MOSFET - Simple

AOD413

AOD413

stock de pièces: 558

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 40V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 12A, 10V,

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AOD452

AOD452

stock de pièces: 538

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 25V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 30A, 10V,

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AO7404

AO7404

stock de pièces: 6118

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1A, 4.5V,

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AOD4102

AOD4102

stock de pièces: 598

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 12A, 10V,

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AO6704

AO6704

stock de pièces: 563

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.6A, 10V,

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AO6701

AO6701

stock de pièces: 528

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.3A, 10V,

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AO6408

AO6408

stock de pièces: 6117

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V,

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AO4712

AO4712

stock de pièces: 597

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 11.2A, 10V,

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AO4714

AO4714

stock de pièces: 527

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 10V,

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AO4708

AO4708

stock de pièces: 506

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 15A, 10V,

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AO4710

AO4710

stock de pièces: 570

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

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AO4706

AO4706

stock de pièces: 533

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 16.5A, 10V,

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AO4474

AO4474

stock de pièces: 506

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 13.4A, 10V,

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AO4447

AO4447

stock de pièces: 535

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V,

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AO4456

AO4456

stock de pièces: 577

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

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AO4440

AO4440

stock de pièces: 597

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V,

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AO4438

AO4438

stock de pièces: 585

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.2A, 10V,

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AO4433

AO4433

stock de pièces: 597

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

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AO4437

AO4437

stock de pièces: 525

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

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AOT404

AOT404

stock de pièces: 533

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 105V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

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AOT462

AOT462

stock de pièces: 559

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 30A, 10V,

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AOD4S60

AOD4S60

stock de pièces: 144102

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 600V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2A, 10V,

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AOD3N50

AOD3N50

stock de pièces: 102316

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 500V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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AON7296

AON7296

stock de pièces: 171842

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 100V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12.5A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 5A, 10V,

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AON7400B

AON7400B

stock de pièces: 159619

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

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AON2403

AON2403

stock de pièces: 118844

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 12V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V,

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AON6262E

AON6262E

stock de pièces: 175488

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

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AO4441

AO4441

stock de pièces: 179448

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 60V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 4A, 10V,

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AON3414

AON3414

stock de pièces: 137746

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

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AON2406

AON2406

stock de pièces: 155158

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 20V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V,

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AO4419

AO4419

stock de pièces: 170873

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,

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AON6250

AON6250

stock de pièces: 66683

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 150V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 52A (Tc), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

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AO6405

AO6405

stock de pièces: 106069

Type FET: P-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain à la tension de source (Vdss): 30V, Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

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AOTF5N50FD_001

AOTF5N50FD_001

stock de pièces: 9577

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

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AOD3N50M

AOD3N50M

stock de pièces: 9614

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

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AOTF16N50_002

AOTF16N50_002

stock de pièces: 9561

Type FET: N-Channel, La technologie: MOSFET (Metal Oxide),

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